简介:存内计算技术通过存储与计算融合架构突破冯·诺依曼瓶颈,在AIoT、大数据等场景实现10倍能效提升与毫秒级延迟突破,正成为算力革命的核心驱动力。
传统计算体系遵循冯·诺依曼架构,存储单元与计算单元物理分离,数据需通过总线在两者间频繁搬运。这种”存储墙”问题在AI时代愈发凸显:当处理万亿参数大模型时,仅数据搬运就消耗总能耗的60%以上,且内存带宽成为性能瓶颈。以ResNet-50图像识别为例,在GPU上运行时有72%的时间消耗在内存访问上,实际计算时间仅占28%。
摩尔定律的放缓加剧了这一矛盾。3D NAND闪存已突破200层堆叠,但DRAM的位密度年增长率从40%降至10%以下。更严峻的是,神经网络计算对内存带宽的需求呈指数级增长,GPT-3模型需要处理1750亿参数,若采用传统架构,内存带宽需求将超过现有HBM3技术的物理极限。
存内计算(In-Memory Computing, IMC)通过在存储单元内部直接执行计算,彻底消除了数据搬运。其核心技术路径包括:
技术实现层面,存内计算面临三大挑战:
在AR眼镜场景中,存内计算芯片可使功耗从5W降至0.5W,同时将图像识别延迟从100ms压缩至10ms。苹果M2芯片内置的神经引擎采用类似技术,实现本地语音识别的实时响应。
存内计算数据库(如MemSQL)通过内存内并行处理,将TPC-H查询性能提升20倍。阿里巴巴的PolarDB采用存内计算优化,使复杂分析查询的响应时间从分钟级降至秒级。
特斯拉Dojo超算采用存内计算架构,在4D空间建模中实现200TOPS/W的能效,使FSD系统的决策延迟从150ms降至30ms。Mobileye的EyeQ6芯片集成存内计算单元,支持8MP摄像头实时处理。
全球存内计算市场正以45%的CAGR增长,预计2027年达280亿美元。初创企业Mythic推出基于模拟存内的MP1030芯片,在10mW功耗下实现35TOPS算力,已获博世、索尼等企业采用。
但技术落地仍面临障碍:
随着铁电存储器(FeRAM)和磁阻存储器(MRAM)的成熟,存内计算将向非易失性方向发展。英特尔的Optane持久内存与存内计算结合,可实现断电后数据不丢失的实时分析。更长远来看,量子存内计算可能突破经典物理限制,在特定问题上实现指数级加速。
这场算力革命正在重塑技术格局。对于开发者而言,掌握存内计算技术意味着在AIoT、自动驾驶等前沿领域获得先发优势;对于企业用户,部署存内计算解决方案可使TCO降低40%以上。当存储与计算的边界彻底消融,我们正站在一个全新计算时代的门槛上。